碳化硅的四大特性！
碳化硅是一種分子式合成碳化物SiC。二氧化硅和碳通電后通常是2000℃形成上述高溫。
抗氧化
當碳化硅材料在空氣中加熱到1300℃二氧化硅保護層開始在碳化硅晶體表面產生。隨著保護層的加厚，內部碳化硅繼續被氧化，使碳化硅具有良好的抗氧化性。當溫度達到1900K(1627℃)在上述情況下，二氧化硅保護膜開始受損，碳化硅氧化作用加劇，因此1900K碳化硅在含氧化劑氣氛中的高工作溫度。
電學性質
工業碳化硅是常溫下的半導體，屬于雜質導電性。隨著溫度的升高，高純度碳化硅的電阻率下降，雜質碳化硅的導電性因雜質而異。碳化硅的另一種電性是電致發光，現在已經開發出了實用的設備。
物理機械性能
密度：各種碳化硅晶形顆粒密度非常接近，一般認為為.碳化硅磨料的自然堆積密度為20克/mm3.2--1.在6克/毫米3之間，其高度取決于粒度號、粒度組成和粒度形狀。
硬度：碳化硅的莫氏硬度為9.2.威氏顯微密度為3000--努普硬度為2670-2815kg/mm，磨料中高于剛玉，僅次于金剛石、立方氮化硼和碳化硼。
導熱性：碳化硅產品導熱性高，熱膨脹系數小，抗熱震性高，是優質耐火材料。
由于其硬度高、耐磨性高、耐腐蝕性高、高溫強度高，是一種新型的工程陶瓷新材料。
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